Pôle Microanalyse de surface

Contact : Jean-Paul SALVETAT
La spectrométrie de masse d’ions secondaires à temps de vol (TOF-SIMS)
Technique d’analyse de très proche surface, sa résolution en profondeur étant de l’ordre de 2-3 couches atomiques (0.5 nm), la spectroscopie de masse à temps de vol apporte des informations chimiques et moléculaires, et vient en complément de l’XPS et de la spectroscopie d’électrons Auger. C’est une technique de choix pour vérifier l’intégrité d’une structure multicouche, réaliser une cartographie (...)

Contact : Mélanie Vaudescal
La spectroscopie d’électrons Auger est complémentaire de la spectroscopie d’électrons induits par rayons X (XPS). Elle présente l’avantage d’une excellente résolution spatiale en largeur et en profondeur. Elle est donc bien adaptée pour analyser les éléments en surface d’un matériau, effectuer des profils en profondeur ou des profils en ligne sur une interface. Le principe des mesures consiste à recueillir les électrons Auger émis par une surface bombardée par des électrons. (...)

Contact : Christine Labrugère
Cette spectroscopie est bien adaptée à la caractérisation des surfaces sur plusieurs centaines de microns de tous les matériaux solides organiques (polymères) ou inorganiques (céramiques, métaux), conducteurs ou isolants. Le principe consiste à éroder la surface à l’aide d’un plasma radio fréquence ; la matière excitée et ionisée est ensuite analysée en temps réel par un spectromètre optique dans le domaine de longueurs d’onde 110-620 nm.
L’appareillage HORIBA Jobin Yvon (...)

Contact : Christine Labrugère
La spectroscopie XPS est bien adaptée à la caractérisation des surfaces des solides. Complémentaire à la spectroscopie d’électrons Auger, elle permet d’analyser l’évolution de l’environnement chimique d’un élément sur les premières couches atomiques d’un matériau. La surface est bombardée par des photons X qui éjectent des électrons des couches profondes des atomes : on parle ainsi d’effet photoélectrique. L’analyse du spectre en énergie des électrons émis permet d’identifier les (...)

Contact : Christine Labrugère
La microscopie à force atomique permet d’observer à l’échelle atomique la topographie d’une surface d’échantillons conducteurs ou isolants issus d’un vaste domaine d’applications (surface de matériaux solides de toute nature, dépôts chimiques, matériaux biologiques, semi-conducteurs, polymères,…). L’appareil utilise un scanner piézoélectrique X,Y,Z pour balayer un micro levier muni d’une pointe nanométrique dans le plan X,Y de la surface de l’échantillon tout en asservissant le (...)